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第127章 E+級通用晶片 (第1/2頁)

【離子電漿槍·d】

簡介:採用等離子電漿團作為爆炸輸出的微型槍械,輕巧便攜,火力尚可,可以當做防身武器。

“火力尚可!”

看到離子電漿槍的簡介,林鳴有些驚歎。

離子電漿槍的威力他已經見識過,威力比150火箭彈大上數倍。

即便如此,依舊被判定為“威力尚可”。

“負責簡介修訂的傢伙,有點過於嚴苛了!”

林鳴看著兩把離子電漿槍。

這樣的好東西,還有兩把,肯定要逆向研究一下的。

“逆向研究離子電漿槍!”

【請選擇逆向研究所用的晶片。】

“E級通用晶片。”

【根據當前晶片所提供的算力,預估逆向研究時長10年,每小時消耗1單位電能,是否開始逆向研究?】

“否!”

“需要10年!”

看到研究所需的時長,林鳴並不意外。

畢竟E級通用晶片的科技評定等級比離子電漿槍低了一個大等級,消耗如此多的時間也算正常。

“d級碳基生物計算機的研究應該好了吧?”

林鳴開啟研究佇列。

果然,經過1個小時的研究,d級碳基生物計算機已經有了初步的成果。

【E+級通用晶片】

簡介:最佳化了運算架構,增加了運算核心的通用晶片,相較於E級通用晶片,電晶體規模增加兩倍,能耗翻一倍,對散熱系統有額外的需求。

“電晶體規模增加了?”

林鳴看著E+級通用晶片的示意圖。

相較於E級通用晶片,E+級通用晶片的核心面積擴大了一圈。

一個顯而易見的道理,工藝和架構不變的情況下,電晶體數量增加了,運算能力肯定會增加。

但在原來的藍星,很少有廠家會這麼做。

畢竟原先的晶片都是在一塊晶圓上批次製造的,核心面積越大,可能產生的缺陷便越多。

如此一來,晶片的良率就會減少,製造成本會增加許多。

廠家想了很多的辦法,比如遮蔽部分有缺陷的核心,分為3,5,7,9系列,分等級來賣,以減少損失。

他們更願意升級晶片的製程或者架構,而不是增加核心面積。

當然,在製程和架構達到瓶頸的時候,增加核心面積便是不得不做的事情了。

E+級通用晶片便是如此。

好在林鳴是用3d金屬印表機來製造通用晶片,無需考慮良率的問題。

“3d金屬印表機-II型,切換生產計劃,全面生產E+級通用晶片!”

林鳴下達了製造命令。

十分鐘以後,一塊E+級通用晶片被製造了出來。

經過測試,林鳴發現,E+級通用晶片的運算能力翻了十倍,每小時消耗的電能變成了2單位。

由於巨大的發熱,E+級通用晶片需要在工作的時候進行持續的冷卻,否則會有燒壞的風險。

“風冷是不合適了,直接上水冷吧!”

林鳴讓d級碳基生物計算機開始設計水冷管路。

由於隕石坑內動輒七八十度的地表溫度,因此只增加水冷系統是沒有用的。

林鳴又讓移動式微型工廠構造體制造了一個玻璃車間,專門用來存放E+級通用晶片,成為一個計算樞紐。

在這個機房中,由生命維持系統進行溫度調節,將溫度儘可能降低到0度上下。

如此一來,水冷散熱系統便可以發揮最大的功效,避免E+級通用晶片燒壞。

“嘖,每小時耗電

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