在草稿紙上照著電腦螢幕裡的圖片描畫了一張，筆尖在一處停下，
醜國國家點火計劃採用間接驅動的方法，將充DT燃料的靶丸被放置在高Z金屬柱腔內部,透過將鐳射驅動能量聚焦在輻射腔內壁轉換成X射線以實現內爆驅動，入射鐳射的時間和空間分佈被調製，從而將DT燃料製造成~ 1000g/cm3的外殼層，包圍低密度的點火熱斑。
這是14年時候的資料，而能被陳靈嬰看到就說明醜國至少已經更新換代這一批，儘管目前應該還在使用間接驅動的方法。
陳靈嬰在這一處地方畫了一個圈然後做了個記號。
醜國得到的資料應該是她利用拓撲結構做出了核聚變相關的實驗，並且實驗成功了。
那麼......
將控制熱斑中心溫度的原理和拓撲結構聯合在一起。
騙過醜國。
當熱斑中心溫度達到10keV，面密度到達0.3g/cm2，約等於a粒子截止範圍，當內爆燃料面密度達到1.5g/cm2時，熱斑即保持足夠長並透過a加熱達到幾十keV。為實現這樣的面密度和熱溫度的條件，需要經歷低熵過程，高聚集性球對稱內爆( -30-40)。這需要精確的控制鐳射脈衝和靶型，平衡各種內爆參量的速度(v)，絕熱過程(a)，熱斑形狀(s)，絕熱燃料混合(m)。
事實上點火裝置已經獨立實現了部分指標，但並非同時。熱斑壓力比預計值低百分之五十到三十之間，混合速度比預期值低。
所以新的拓撲結構模型能夠使得點火裝置同時完成全部指標。
陳靈嬰停下筆抬起頭，身子往後一靠。
其中Y13-15MeV為能量峰值處於13~15MeV的未散射中子產額。
dsr約正比於DT燃料面密度，ITFX與廣義勞森判據相關聯，ITFX\u003d1 定義為能量大於1MJ的產額值為50%。
冷凍多層靶中子產額與dsr之間的關係圖。
在2012年，第四脈衝(圖9)的上升沿變緩，產生一個高壓縮低熵的內爆，第四脈衝的長度被展寬後，使dsr值變高，並使ITFX增加至0.1。
陳靈嬰輕笑一聲，如果是這樣的話，
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